AULA 18 - Eletricidade Básica - FIC

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CARGA HORÁRIA: 5 h

CARGA HORÁRIA TEÓRICA: 4 h CARGA HORÁRIA PRÁTICA: 1 h


METODOLOGIA

  • Exposição dialogada dos conteúdos disponíveis, em projetor multimídia.
  • Navegação assistida em outros sites e portais, de conteúdos relacionados.
  • Montagens práticas e desenvolvimento em computador de aplicativos.
  • Testes de verificação e validação.



Tabela 3.4 - Eficiência das melhores células fotovoltaicas fabricadas em laboratórios até 2012 [GREEN et al., 2013]. Tecnologia Eficiência (%) Silício Monocristalino 25,0 ± 0,5 Policristalino 20,4 ± 0,5 Filmes finos transferidos4 20,1 ± 0,4 Compostos III A-VA (ou 13-15) GaAs (filme fino) 28,8 ± 0,9 GaAs (policristalino) 18,4 ± 0,5 InP (monocristalino) 22,1 ± 0,7 Calcogênios Compostos II B-VI A (ou 12-16) CIGS (CuInxGa(1-x)Se2) (filme fino) 19,6 ± 0,6 CdTe (filme fino) 18,3 ± 0,5 Silício amorfo / nanocristalino Amorfo (a-Si) (filme fino) 10,1 ± 0,3 Nanocristalino (nc-Si) 10,1 ± 0,2 Células Sensibilizadas por Corantes (DSSC) 11,9 ± 0,4 Células Orgânicas (filme fino) 10,7 ± 0,3 Multijunção InGaP/GaAs/InGaAs 37,7± 1,2 a-Si/nc-Si/nc-Si (filme fino) 13,4± 0,4 3.3 – Características Elétricas das Células Fotovoltaicas 3.3.1 – Curva I-V A corrente elétrica em uma célula fotovoltaica pode ser considerada como a soma da corrente de uma junção pn no escuro (diodo semicondutor) com a corrente gerada pelos fótons absorvidos da radiação solar. Esta corrente em função da tensão no dispositivo, denominada de curva I-V ou curva característica, pode ser descrita pela seguinte equação, derivada da Equação de Schockley5 , do diodo ideal: � � � � � �

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� � 

exp 1 0 nkT

qV III L (3.8) Onde: IL - corrente fotogerada (A); I0 - corrente de saturação reversa do diodo (A); n - fator de idealidade do diodo, número adimensional geralmente entre 1 e 2, obtido por ajuste de dados experimentais medidos;

4 

Filmes finos transferidos – tecnologia onde inicialmente são fabricadas estruturas de filme fino metal/polímero sobre suporte

de vidro reutilizável para posterior transferência para um substrato que pode ser de diamante, silicone, nitreto de alumínio, placa de circuito impresso etc. 5 

William Bradford Schockley (1910-1989), cientista norte-americano, ganhador do Prêmio Nobel de Física em 1956.

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